Results forTK110

POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O

The TK110E65Z is a Toshiba 400V - 900V MOSFETs product. N-ch MOSFET, 650 V, 0.11 Ω@10V, TO-220, DTMOSⅥ Switching Voltage Regulators｜ Find data sheet and product information from the product details page.

The TK110U65Z is a Toshiba 400V - 900V MOSFETs product. N-ch MOSFET, 650 V, 0.11 Ω@10V, TOLL, DTMOSⅥ Switching Voltage Regulators｜ Find data sheet and product information from the product details page.

The TK110Z65Z is a Toshiba 400V - 900V MOSFETs product. N-ch MOSFET, 650 V, 0.11 Ω@10V, TO-247-4L, DTMOSⅥ Switching Voltage Regulators｜ Find data sheet and product information from the product details page.

DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ

DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下展现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽栅压容限有助于提升驱动兼容性与运行稳定性。

TERM BLK 11P SIDE ENTRY 5MM PCB

MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS

MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有18A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件依托碳化硅材料的高击穿电场与优异热导率，在高频、高效率的电源拓扑中表现出低开关损耗和良好的热稳定性。适用于对体积、效率及动态性能有较高要求的电力电子系统，如开关电源、储能变换器及高频逆变结构。

650V DTMOS VI TO-220 110MOHM

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频开关应用。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升整体系统能效与功率密度。

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换场景。其低RDS(ON)有助于减小导通功耗，提升系统整体能效，同时宽VGS耐压范围增强了驱动兼容性与可靠性。