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DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

RFID LABEL AD-456U8 (FCC)

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管为独立式配置，具有10A的额定正向电流（IF）和650V的最大反向重复电压（VR），其典型正向压降（VF）为1.37V，在瞬态条件下可承受80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的物理优势，该器件在高频开关应用中表现出低导通损耗与快速恢复特性，适合用于高效率、高功率密度的电源转换场合。

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为10A，最大反向重复峰值电压VR为650V，典型正向压降VF为1.37V。器件可承受80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备优异的高频特性和低导通损耗。得益于碳化硅材料的特性，其在高效率电源转换、开关电源及高频整流等应用中能够有效降低系统能耗并提升功率密度。

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为10A，最大反向重复峰值电压为650V，正向压降典型值为1.37V。器件具备80A的非重复浪涌正向电流能力，可在瞬态高电流条件下保持可靠运行。得益于碳化硅材料的特性，其在高频开关和高温环境中展现出低损耗与高稳定性，适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换及电力电子应用。