HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为10A，最大反向重复峰值电压VR为650V，典型正向压降VF为1.37V。器件可承受80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备优异的高频特性和低导通损耗。得益于碳化硅材料的特性，其在高效率电源转换、开关电源及高频整流等应用中能够有效降低系统能耗并提升功率密度。
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Key specs
Forward voltage1.37 VMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | TO-220F-2L |
| Other | |
| IF | 10A |
| IFSM | 80A |
| VF | 1.37V |
| VR | 650V |
| 二极管配置 | 独立式 |