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DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为8A，最大反向重复电压VR达600V。其正向压降VF为1.5V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流IR仅为10μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合，能够在频繁开关操作中保持稳定性能。

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至10μA，确保良好的关断特性。器件可承受峰值达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度与能效有较高要求的电力电子应用。