HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至10μA，确保良好的关断特性。器件可承受峰值达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度与能效有较高要求的电力电子应用。