Results forMLD1N06CLT4G
4 partsProduct search results4 total
- MLD1N06CLT4G
Transistors - Special Purpose
IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK
- MLD1N06CLT4G
Single FETs, MOSFETs
IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK
- MLD1N06CLT4G-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- MLD1N06CLT4G-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
Showing 1–4 of 4
Can't find your part?
Our AI can look it up on the web and add it to the catalog. Or tell our team directly.
0 of 2 selected