VBsemi(微碧半导体)China
MLD1N06CLT4G-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current18 A
On-resistance85 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |