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- MJD127T4
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
- MJD127T4
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
- MJD127T4
Single Bipolar Transistors
TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
- MJD127T4
Single Bipolar Transistors
MJD127T4 — SALLTECH 三极管
- MJD127T4G
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
- MJD127T4G
Single Bipolar Transistors
- MJD127T4G(MS)
Bipolar Transistors - Unspecified Type
此款MJD127T4G，采用表面贴装TO-252(DPAK)，由于其稳定的电流驱动能力，MJD127T4G适用于多种功率驱动场合，包括电机控制、电源开关、LED驱动、以及其他需要大电流开关和/或线性放大功能的电子设备。
- MJD127T4G-HXY
Bipolar Transistors - Unspecified Type
此款达林顿管采用TO-252-2L封装，是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压（Vceo）及8A的最大集电极电流（Ic），额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压，在8A集电极电流和80mA基极电流时，VCE(sat)仅为4V，确保高效能运行。此外，该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益，hFE范围介于1000至12000之间。适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合，以其卓越的电气参数与稳定性能，满足各类中高功率电路需求。
- MJD127T4G-JSM
Single Bipolar Transistors
专为通用放大器和低速开关应用而设计
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