HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款达林顿管采用TO-252-2L封装，是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压（Vceo）及8A的最大集电极电流（Ic），额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压，在8A集电极电流和80mA基极电流时，VCE(sat)仅为4V，确保高效能运行。此外，该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益，hFE范围介于1000至12000之间。适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合，以其卓越的电气参数与稳定性能，满足各类中高功率电路需求。