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  • HS6335

    Single FETs, MOSFETs

    这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其关键参数包括11A的电流承载能力、30V的工作电压，以及14mR的典型内阻。VGS为20V，确保了稳定的控制性能。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。

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