HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其关键参数包括11A的电流承载能力、30V的工作电压，以及14mR的典型内阻。VGS为20V，确保了稳定的控制性能。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。