搜索结果:XP151A13A0MR
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产品搜索结果共 7 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。 | 数据手册7 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术,封装形式为SOT-23,小巧而高效。其核心参数出色,具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID,确保了卓越的电力处理能力。尤为突出的是,该器件拥有超低的导通电阻RD(on),仅为48mΩ,可显著降低功耗,提升系统能效,是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。 | 数据手册5 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N型场效应晶体管,适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造;可用作开关电源的关键部件,驱动汽车电子系统中的各种负载,控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.45~1V; | 数据手册1 | 查看详情 |
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