JSMSEMI(杰盛微)中国

XP151A13A0MR-JSM

晶体管 - FET，MOSFET - 单

适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流500 mA
导通电阻150 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流500 mA
导通电阻150 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)500mA
其他
导通电阻(RDS(on))150mΩ@2.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.7 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21
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