搜索结果：STW34N65M5

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产品搜索结果共 4 条

对比	产品型号	品牌	分类	产品描述	技术资料	替代	操作
	STW34N65M5		晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 650V 28A TO247			查看详情
	STW34N65M5		单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 650V 28A TO247			查看详情
	STW34N65M5-VB		晶体管 - FET，MOSFET - 单	台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；	数据手册1		查看详情
	STW34N65M5-HXY		单 FET，MOSFET	该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为32A，最大漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可有效提升系统整体性能与可靠性。	数据手册1		查看详情

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