STW34N65M5-HXY
单 FET，MOSFET该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为32A，最大漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可有效提升系统整体性能与可靠性。
该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为32A，最大漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可有效提升系统整体性能与可靠性。