搜索结果:STS7C4F30L

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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款双N型和P型沟道功率MOSFET,采用Trench工艺。具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。SOP8;N+P—Channel沟道,±30V;8/-8A;RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±2V;

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

便携式设备,使用高电池密度,先进的沟槽技术,适合于低压应用以及低在线功率损耗

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