STS7C4F30L-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
沟道N + P
耐压40 V
连续漏极电流8 A
导通电阻40 mΩ
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沟道N + P
耐压40 V
连续漏极电流8 A
导通电阻40 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |