搜索结果:STD26NF10-HXY

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A,漏源击穿电压为100V,导通电阻为37毫欧,栅源电压耐受值为20V。器件在中等电流应用中表现稳定,适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度,满足一般直流负载驱动需求,为系统设计提供可靠的功率管理方案。

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