搜索结果:RDD02
共 9 条- 匹配型号9
- 有数据手册6
- 涉及品牌3
产品搜索结果共 9 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 稳压器 - DC-DC 开关稳压器 | ReSine PS DC-DC电源模块 RDD02 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | TO252;N—Channel沟道,500V;14.5A;RDS(ON)=243mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | TO252;N—Channel沟道,650V;4.5A;RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2.5~5V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;2A;RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Plannar技术; | 数据手册1 | 查看详情 |
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