搜索结果：QNM30PD12AY
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产品搜索结果共 1 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 2个P沟道，共源配置；Vdss=-30V，Id=-18A；RDS(ON)=20.5mΩ@-4.5V;12mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1.1~-2.2V；Ciss=900pF，Coss=172pF，Crss=146pF；Pd=10W，Qg=22nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。 | 查看详情 |
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