QNHCHIP(乾能惠)中国

2个P沟道，共源配置；Vdss=-30V，Id=-18A；RDS(ON)=20.5mΩ@-4.5V;12mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1.1~-2.2V；Ciss=900pF，Coss=172pF，Crss=146pF；Pd=10W，Qg=22nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。