搜索结果:IRFP460PBF-VB

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,适合用于高电压电源管理和开关应用,能够在高负载和高电压条件下提供高效和稳定的性能。TO247;N—Channel沟道,500V;40A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3~5V;超结MOS

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