IRFP460PBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适合用于高电压电源管理和开关应用，能够在高负载和高电压条件下提供高效和稳定的性能。TO247；N—Channel沟道,500V；40A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；超结MOS
沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流40 A
阈值电压3 V
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沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流40 A
阈值电压3 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |