搜索结果:IRF820AS
共 9 条- 匹配型号9
- 有数据手册7
- 涉及品牌3
产品搜索结果共 9 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 1个N沟道 耐压:500V 电流:2.5A | 数据手册3 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术; | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,适用于各种应用场景。TO263;N—Channel沟道,650V;4.5A;RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2~4V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
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