IRF820ASPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
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台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
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