台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺,适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。TO263;N—Channel沟道,100V;70A;RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

问 AI FAE数据手册 PDF
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流70 A
导通电阻20 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流70 A
导通电阻20 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)70A
其他
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V,11A
数量1个N沟道

技术资料