搜索结果:FDS6675-HXY

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对比产品型号品牌分类产品描述技术资料替代操作
晶体管 - FET,MOSFET - 单

这款场效应管采用P型设计,适用于高电流、低内阻的应用场景。其最大承受电流为12A,额定电压高达30V,内阻典型值为10mR,确保了高效的电流承载能力。VGS为20V,使得器件在适当的栅源电压下能够稳定工作。该产品适用于多种电子设备,能够提升系统的稳定性和效率。(FDS6675BZ)

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