FDS6675-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款场效应管采用P型设计，适用于高电流、低内阻的应用场景。其最大承受电流为12A，额定电压高达30V，内阻典型值为10mR，确保了高效的电流承载能力。VGS为20V，使得器件在适当的栅源电压下能够稳定工作。该产品适用于多种电子设备，能够提升系统的稳定性和效率。(FDS6675BZ)
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流12 A
导通电阻13 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流12 A
导通电阻13 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |