搜索结果:BSS83P
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产品搜索结果共 12 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET,MOSFET | BSS83P is a Small signal/small power MOSFET with VDS max: -60 V, RDS (on) max: 2000 mOhm, Package: SOT-23, ID max: 0.33 A, Qualification: Automotive | 数据手册6 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册9 | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23;P—Channel沟道,-60V;-0.5A;RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-60V;-0.5A;RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,额定电压60V,提供2A电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性,适用于充电器、电源转换等场合,为电子设备带来高效、稳定的功率控制解决方案。 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 | 数据手册2 | 查看详情 |
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