BSS83PH6327-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压60V，提供2A电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，适用于充电器、电源转换等场合，为电子设备带来高效、稳定的功率控制解决方案。
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流2 A
导通电阻160 mΩ
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流2 A
导通电阻160 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |