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MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

N沟道,30V 5.8A

场效应管(MOSFET)

N沟道,电流:5.8A,耐压:30V

N沟道增强型MOSFET,电流:5.7A,耐压:30V

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.7A

SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子

N沟道,电流:5.8A,耐压:30V

N沟道增强型MOSFET,电流:5.8A,耐压:30V

具有低导通电阻、高速开关特点，适用于电源管理、电机驱动及高频电源转换器领域

耐压:30V 电流:5.8A

N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V

N沟道增强型MOSFET,电流:5.8A,耐压:30V

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.8A

AO3400