全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
ID-最大漏极电流5.8A
Id-额定电流5.8A
VDSS-最大漏源电压30V
Vgs(th)-门槛电压1.45V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗28mΩ
Ron-最大导通阻抗28mΩ
环境与封装
封装类型1SOT23
最大工作温度150℃
最小工作温度-55℃
其他
Ciss-输入电容630pF
Ciss-输入等效电容630pF
Pd-功率耗散1.4W
Pd-最大功率耗散1.4W
Qg-栅极电荷6nC
Vdss-漏源耐压30V
Vgs-栅源耐压12V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

技术资料

该型号暂未收录资料。