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IRF540N-HXY 国产替代 型号

IRF540N-HXY
原型号
HXY MOSFET(华轩阳电子)IRF540N-HXY
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V,15A数量1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)33A