onsemiСША
TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO226
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора800 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE10000500mA
Мощность1 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Power - Max | 1 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Supplier Device Package | TO-226 |
| Другое | |
| Base Product Number | ZTX614 |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.25V @ 8mA, 800mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.