HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该快恢复二极管具有1A的正向平均电流（IF）和高达1000V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压隔离与整流场景。其正向导通压降（VF）为1.7V，确保较低的导通损耗，同时反向漏电流（IR）典型值仅为5μA，表现出良好的阻断特性。器件恢复时间短，可有效减少开关过程中的反向恢复电荷，提升系统效率。常用于开关电源、逆变电路、DC-DC转换器及高频率整流模块中，适用于对电压耐受与响应速度有要求的通用电力电子电路。