Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
TSM6NB60CI
Single FETs, MOSFETsВсе аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 6A |
| Id-额定电流 | 6A |
| VDSS-最大漏源电压 | 600V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 4.5V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 1600mΩ |
| Ron-最大导通阻抗 | 1600mΩ |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | TO220 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| Другое | |
| Ciss-输入电容 | 872pF |
| Ciss-输入等效电容 | 872pF |
| Pd-功率耗散 | 40W |
| Pd-最大功率耗散 | 40W |
| Qg-栅极电荷 | 18.3nC |
| Vdss-漏源耐压 | 600V |
| Vgs-栅源耐压 | 30V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
| 集成ESD保护二极管 | 0 |
| 集成整流二极管 | 0 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.