TBD62003AFWG
Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased新产品，ULN2003AFWG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。
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Полный отчётТехнические параметры
| 最大输入电压(VI) | 30V |
| 通道数 | 七路 |
| 集射击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
新产品，ULN2003AFWG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。
| 最大输入电压(VI) | 30V |
| 通道数 | 七路 |
| 集射击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |