Поиск аналогов электронных компонентов
Panjit International Inc.Тайвань, Китай

SiC10A120T

Single Diodes
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение1.2 kV
Средний выпрямленный ток27.5 A
Прямое падение напряжения1.8 VМакс.
Питание
IFSM-正向峰值电流383A
IF-二极管正向电流27.5A
IF-最大正向平均电流10A
IR-反向漏电流10μA
IR-最大反向漏电流100μA
VRRM-反向重复峰值电压1200V
VRRM-反向重复电压1200V
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO220
Другое
CT-总电容Npf
Pd-功率耗散123W
PD-最大耗散功率123W
Qc-总电荷38nC
QC-总电荷38nC
TJ-最大工作结温175℃
VF-二极管导通压降1800mV
VF-正向压降2.3V
引脚数量12
肖特基二极管1

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.