HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管最大漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值35mΩ。器件适用于低压电源管理、电池保护及负载开关电路。其适中的导通阻抗有助于平衡导通损耗与成本，适合便携式设备、消费电子及紧凑型电源模块中的功率控制应用，满足对空间布局和热性能有要求的设计需求。