Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单P通道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252;P—Channel沟道,-60V;-50A;RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-3V;

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока50 A
Сопротивление в открытом состоянии35 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
Другое
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V,40A
数量1个P沟道

Документы