Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款双通道P型MOSFET,采用Trench工艺,具有良好的性能稳定性和可靠性,适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块,如电源管理、电动车控制和工业自动化等领域。SOT23-6;2个P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.5~-2V;

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока3.6 A
Питание
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.6A
Другое
数量2个P沟道
耗散功率(Pd)1.14W

Документы