HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为200μA，适用于对能效有一定要求的电路环境。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。整体参数组合使其适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。