SIR872ADP-T1-GE3
Single FETs, MOSFETsMOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток150 V
Постоянный ток стока53.7 A
Сопротивление в открытом состоянии18 mΩМакс. · 20A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Другое | |
| Base Product Number | SIR872 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1286 pF @ 75 V |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Series | TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.