HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该款SOT-23封装NPN型三极管,具有45V高击穿电压VCEO及0.1A集电极电流承载力,放大倍数范围宽广(200-400),特别适用于要求高增益、低功耗的电子电路中,提供精密信号放大功能。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер45 V
Ток коллектора100 mAМакс.
Мощность200 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Другое | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |