JSMSEMI(杰盛微)Китай
hFE:200-350 适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер25 V
Ток коллектора500 mAМакс.
Мощность300 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| Другое | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
Документы
DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 852.7 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Центр документации