DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток12 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 12 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 12 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Supplier Device Package | DO-4 |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.