Поиск аналогов электронных компонентов
PN SILICON(智晶)Китай
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流19A
VDSS-最大漏源电压20V
Vgs(th)-门槛电压1.3V
Другое
Qg-栅极电荷NnC
Vgs-栅源耐压8V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.