VBsemi(微碧半导体)Китай
P5NA50-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO220；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии780 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 170W |