Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单P通道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220;P—Channel沟道,-60V;-40A;RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Сопротивление в открытом состоянии62 mΩМакс. · 10V
Пороговое напряжение1 VМакс.
Питание
漏源电压(Vdss)60V
阈值电压(Vgs(th))1V
Другое
导通电阻(RDS(on))62mΩ@10V,20A
数量1个P沟道

Документы