Поиск аналогов электронных компонентов
CBI(创基)Китай
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流0.7A
VCBO-集基级击穿电压25V
VCEO-集射级击穿电压20V
VEBO-射基级击穿电压4V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益150
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT23
Другое
Pd-功率耗散0.2W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.